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晶体管

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APTGT100TDU60PG

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库存:31,715(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥912.9383
91293.83
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Triple Dual Common Source
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
340 W
封装 / 箱体
SP6-P
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGT100TDU60PG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified
1:¥10.4525
10:¥8.6106
100:¥6.5653
500:¥5.65
1,000:¥4.4635
3,000:¥4.4635
参考库存:6101
晶体管
MOSFET AFSM T6 60V LL U8FL WF
1:¥8.6106
10:¥7.3563
100:¥5.65
500:¥4.9833
1,500:¥3.4917
9,000:查看
参考库存:2773
晶体管
MOSFET 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
1:¥22.1254
10:¥18.4416
100:¥14.2945
500:¥12.5204
1,000:¥10.3734
2,000:¥10.3734
参考库存:4599
晶体管
MOSFET -30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥7.2207
10:¥5.7969
100:¥4.3957
500:¥3.6386
1,000:¥2.9154
3,000:¥2.6329
参考库存:35997
晶体管
MOSFET 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified
1:¥7.684
10:¥6.3732
100:¥4.8816
500:¥4.2036
1,000:¥3.3109
3,000:¥3.1527
参考库存:33007
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