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晶体管
IKW50N65F5AXKSA1参考图片

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IKW50N65F5AXKSA1

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库存:31,524(价格仅供参考)
数量单价合计
240
¥43.8779
10530.696
480
¥41.8778
20101.344
720
¥38.194
27499.68
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.66 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
270 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 F5
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW50N65F5A SP001187518
商品其它信息
优势价格,IKW50N65F5AXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Small Signal Single N-CH 20V .3A .15W
1:¥3.616
10:¥2.3391
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:5010
晶体管
MOSFET P-channel 30 V, 0.01 Ohm typ., 52 A STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥11.30
10:¥9.6841
100:¥7.4354
500:¥6.5766
2,500:¥4.5991
10,000:查看
参考库存:6767
晶体管
MOSFET 30V P channel Mosfet
1:¥3.5369
10:¥2.7685
100:¥1.8871
500:¥1.2995
3,000:¥0.86784
9,000:查看
参考库存:16114
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 300V, 300mA
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
20,000:¥0.24634
40,000:查看
参考库存:20497
晶体管
IGBT 模块 N-Ch 600 Volt 150Amp
1:¥214.7678
5:¥212.5417
10:¥198.089
25:¥189.2524
参考库存:4370
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