您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
PTFB213004F-V2-R250参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

PTFB213004F-V2-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:31,483(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥1,097.7385
274434.625
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
增益
18 dB
输出功率
300 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37275-6/2
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2170 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PTFB213004F-V2-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -20V P-channel FemtoFET MOSFET
1:¥3.0736
10:¥2.0792
100:¥0.99101
250:¥0.99101
1,000:¥0.76049
参考库存:3196
晶体管
MOSFET 30V N Channel Power Mosfet
1:¥4.8364
10:¥3.3787
100:¥2.2374
500:¥1.3221
3,000:¥0.89157
9,000:查看
参考库存:10218
晶体管
MOSFET Comp ENH FET 40VDs 20Vgs 1.3W
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
2,500:¥2.3391
参考库存:3881
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-13
1:¥3.6838
10:¥2.8476
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
4,000:¥0.99892
参考库存:1986
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
2,000:¥1.4012
参考库存:17071
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们