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晶体管

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APTGT75TL60T3G

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库存：31,388(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥575.3734
575.3734
5
¥557.316
2786.58
10
¥540.4112
5404.112
25
¥516.0597
12901.4925
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
250 W
封装 / 箱体
SP3-32
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，APTGT75TL60T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI7374DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V
3,000:¥14.5205
参考库存:30600
IF1320-TR
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel Reel of 1000
1:¥29.9676
10:¥24.1255
100:¥19.7524
500:¥17.7523
1,000:¥14.9838
参考库存:30603
SIHF16N50C-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-Channel 500V
1,000:¥24.8939
3,000:¥23.6622
参考库存:30606
IPD100N04S4L02ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
2,500:¥7.91
5,000:¥7.684
10,000:¥7.3789
参考库存:30609
QPD2194SR
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
100:¥1,124.8585
参考库存:30612
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