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晶体管

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APTGT750U60D4G

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库存:31,153(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥926.4644
92646.44
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
1 kA
栅极—射极漏泄电流
3.1 uA
Pd-功率耗散
2.3 kW
封装 / 箱体
D4-5
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Bulk
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
350 g
商品其它信息
优势价格,APTGT750U60D4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V 200mW
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:5289
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
2,000:¥0.29154
参考库存:14886
晶体管
MOSFET P-CH -100V HEXFET MOSFET
1:¥19.1309
10:¥15.9104
100:¥12.2944
500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
参考库存:4387
晶体管
JFET JFET N-Channel -30V 10mA 300mW 2mW
1:¥56.4774
10:¥46.2622
100:¥38.42
参考库存:3625
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥3.4578
10:¥2.8476
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
2,500:¥1.1413
参考库存:6251
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