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晶体管

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APTGT100DU120TG

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数量单价合计
100
¥617.7145
61771.45
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参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
140 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
480 W
封装 / 箱体
SP4
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGT100DU120TG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.4577
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23052
参考库存:6629
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 GP XSTR NPN 40V
1:¥0.99892
10:¥0.90626
100:¥0.32318
1,000:¥0.2147
3,000:¥0.16159
参考库存:112302
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥0.92208
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
3,000:¥0.16159
参考库存:8893
晶体管
MOSFET N-CH 30V 300MA
1:¥4.3844
10:¥3.6047
100:¥2.3165
1,000:¥1.8645
2,000:¥1.5707
参考库存:5657
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs TO-220
1:¥22.9729
10:¥19.0518
100:¥15.6731
250:¥15.2098
参考库存:4055
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