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晶体管

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APTGT100DU120TG

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库存:31,150(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥617.7145
61771.45
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
140 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
480 W
封装 / 箱体
SP4
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGT100DU120TG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET BSS138AKA/TO-236AB/REEL 7" Q3/
1:¥2.3052
10:¥1.5594
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.34578
参考库存:18501
晶体管
达林顿晶体管 PNP High Voltage Darlington
1:¥4.9155
10:¥4.1358
100:¥2.5199
1,000:¥1.9549
2,000:¥1.6724
参考库存:7893
晶体管
MOSFET 100V Comp Enh FET 20Vgs w/ H-Bridge
1:¥8.9157
10:¥7.6388
100:¥5.876
500:¥5.1867
1,000:¥4.0906
3,000:¥4.0906
参考库存:8179
晶体管
MOSFET
1:¥46.2622
10:¥41.7987
25:¥39.7986
100:¥34.578
参考库存:2479
晶体管
MOSFET SSOT-6 P-CH -30V
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.3391
1,000:¥1.8645
3,000:¥1.5707
参考库存:20231
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