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晶体管
APTGTQ150TA65TPG参考图片

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APTGTQ150TA65TPG

  • Microsemi
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数量单价合计
100
¥1,237.2031
123720.31
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
技术
-
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
360 nA
Pd-功率耗散
365 W
封装 / 箱体
SP6-P
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGTQ150TA65TPG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 8A 80V TR
1:¥11.752
10:¥10.0683
100:¥7.684
500:¥6.7913
800:¥5.3675
参考库存:5002
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS HV XSTR SPCL TR
1:¥3.2318
10:¥2.0679
100:¥0.88366
1,000:¥0.68365
3,000:¥0.51528
参考库存:14147
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Low Lvl SW
1:¥4.9946
10:¥4.294
100:¥2.9832
1,000:¥2.2148
参考库存:4967
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 63.3A TO247-3
1:¥116.1075
10:¥106.7285
25:¥102.2763
100:¥90.1288
参考库存:5570
晶体管
达林顿晶体管 500mA HV Darlington Trans Array 50V
1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
2,500:¥1.2317
参考库存:7446
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