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晶体管

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APTGLQ80HR120CT3G

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:30,978(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥897.4912
897.4912
5
¥867.2976
4336.488
10
¥838.8668
8388.668
25
¥809.5094
20237.735
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual Common Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV, 600 V
集电极—射极饱和电压
2.05 V, 1.5 V
在25 C的连续集电极电流
150 A, 100 A
栅极—射极漏泄电流
240 nA, 600 nA
Pd-功率耗散
500 W, 250 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APTGLQ80HR120CT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 3-Pin
10,000:¥0.26894
20,000:¥0.24634
50,000:¥0.23052
100,000:¥0.20792
参考库存:23010
晶体管
MOSFET 20A 100V LOW VF TREN
1:¥7.6049
10:¥6.4749
100:¥4.9833
500:¥4.3957
参考库存:3400
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 0.15A 0.15W SOT-416FL
1:¥2.2261
10:¥1.5368
100:¥0.64523
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.34578
参考库存:8368
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RAIL PWR-MOS
1:¥4.9946
10:¥3.9776
100:¥2.5651
1,000:¥2.0566
参考库存:23017
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥898.1014
10:¥824.109
25:¥739.585
50:¥655.061
参考库存:23020
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