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FS50R06YL4

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1
¥483.1654
483.1654
5
¥472.34
2361.7
10
¥453.8984
4538.984
25
¥439.2988
10982.47
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
在25 C的连续集电极电流
55 A
封装 / 箱体
EASY2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
55.9 mm
宽度
45.6 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
20
子类别
IGBTs
零件号别名
FS50R06YL4BOMA1 SP000100285
商品其它信息
优势价格，FS50R06YL4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSC5303DCP RO
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage NPN Transistor w/diode
5,000:¥1.7402
10,000:¥1.6046
25,000:¥1.5368
参考库存:29205
AGR21125EF
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz 28Watt Gain 14dB
10:¥793.373
30:¥702.7018
50:¥634.6984
100:¥612.0306
参考库存:29208
QPD2793
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.62-2.69GHz GaN 200W 48V
500:¥623.3306
参考库存:29211
2SJ360(F)
Toshiba
晶体管
MOSFET P-Ch 4-V gate drive RDS 0.55Ohm -60V
暂无价格
参考库存:29214
SIHH11N65E-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
3,000:¥16.0573
参考库存:29217
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