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晶体管

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FS25R12YT3

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库存:30,443(价格仅供参考)
数量单价合计
20
¥437.6038
8752.076
40
¥423.5466
16941.864
60
¥423.4675
25408.05
100
¥392.4264
39242.64
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
封装 / 箱体
EASY2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
55.9 mm
宽度
45.6 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
20
子类别
IGBTs
零件号别名
FS25R12YT3BOMA1 SP000100287
商品其它信息
优势价格,FS25R12YT3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 950 V CoolMOS P7
1:¥10.9836
10:¥9.379
100:¥7.2207
500:¥6.3845
参考库存:3611
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥35.1204
10:¥29.8885
100:¥25.8996
250:¥24.5888
参考库存:3346
晶体管
MOSFET Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
1:¥9.7632
10:¥8.6106
100:¥6.8252
500:¥5.2884
1,000:¥4.1697
3,000:¥3.7855
参考库存:7971
晶体管
MOSFET PMV100ENEA/TO-236AB/REEL 7" Q3
1:¥3.1527
10:¥2.4521
100:¥1.3334
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
参考库存:16454
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
1:¥65.7773
10:¥59.4719
25:¥56.7034
100:¥49.1776
250:¥47.0306
参考库存:3451
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