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晶体管

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APTGT30H170T3G

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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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数量单价合计
100
¥586.2892
58628.92
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Full Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.7 kV
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
45 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
210 W
封装 / 箱体
SP3-32
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APTGT30H170T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.6159
10:¥1.4238
100:¥0.50737
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26103
参考库存:12697
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD35N10-26P-GE3
1:¥24.0464
10:¥19.8993
100:¥16.4415
250:¥15.9104
2,000:¥11.4469
4,000:查看
参考库存:8204
晶体管
MOSFET MP-3ZK PoTr-MOSFET Low
2,500:¥4.8364
5,000:¥4.5991
参考库存:24314
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V Dual PNP
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:11704
晶体管
MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
1:¥6.8365
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
5,000:¥2.7685
10,000:查看
参考库存:24319
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