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晶体管
APTGLQ25H120T2G参考图片

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APTGLQ25H120T2G

  • Microsemi
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  • IGBT 模块
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库存:30,129(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥374.369
37436.9
250
¥366.5268
91631.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
技术
-
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Quad
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.05 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
栅极—射极漏泄电流
150 nA
Pd-功率耗散
165 W
封装 / 箱体
SP2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Bulk
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
80 g
商品其它信息
优势价格,APTGLQ25H120T2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 156W 1680pF 20A
1:¥40.567
10:¥32.657
100:¥29.7416
250:¥26.8149
2,500:¥19.2891
参考库存:3112
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
10:¥301.0546
参考库存:3313
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 21A TO220FP-3 CoolMOS CP
1:¥32.5779
10:¥27.6624
100:¥23.9786
250:¥22.7469
500:¥20.4417
参考库存:3615
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3mOhms 75nC
1:¥21.0519
10:¥17.8992
100:¥15.5262
250:¥14.7578
500:¥13.221
800:¥13.221
参考库存:3253
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:21397
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