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晶体管

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APTGT200DU120G

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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:30,123(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥1,004.5248
100452.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
280 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
890 W
封装 / 箱体
SP6
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGT200DU120G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTC144TMB/XQFN3/REEL 7" Q1/T1
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
10,000:¥0.62263
20,000:查看
参考库存:11688
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥6.3054
10:¥5.4014
100:¥4.1471
500:¥3.6612
2,500:¥2.5651
10,000:查看
参考库存:4202
晶体管
MOSFET 250V N-Channel QFET
1:¥22.826
10:¥19.436
100:¥16.8257
250:¥15.9782
参考库存:1857
晶体管
MOSFET MOSFET1200V14A280m OhmSiliconCarbideSiC
1:¥76.9191
10:¥69.5402
25:¥66.3084
100:¥57.5509
250:¥54.9406
参考库存:2434
晶体管
IGBT 晶体管 650V/30A FAST IGBT FSII T
1:¥33.6514
10:¥28.589
100:¥24.8148
250:¥23.5153
参考库存:1830
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