宝华芯城

晶体管

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：29,882(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PS8-8
通道数量	1 Channel
晶体管极性	P-Channel, NPN
Vds-漏源极击穿电压	32 V
Id-连续漏极电流	5.5 A
Rds On-漏源导通电阻	27 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	2 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	34 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	1.06 W
配置	Single
封装	Reel
高度	0.8 mm
长度	2.9 mm
系列	TPCP8J01
晶体管类型	1 P-Channel, NPN
类型	Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type
宽度	2.4 mm
商标	Toshiba
下降时间	90 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	12 ns
工厂包装数量	3000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	22 ns
典型接通延迟时间	2.8 ns

商品其它信息

优势价格，TPCP8J01(TE85L,F,M的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
FP10R12W1T4_B3	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 IGBT 1200V 10A	1:¥263.403 5:¥260.6458 10:¥242.9726 25:¥232.0568	参考库存:2874
FCP36N60N	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 600V NChannel MOSFET SupreMOS	1:¥47.2566 10:¥42.7253 25:¥40.7252 100:¥35.3464	参考库存:3861
DXT751-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR PNP	1:¥4.068 10:¥3.3335 100:¥2.034 1,000:¥1.5707 2,500:¥1.3334	参考库存:6197
APT70GR65B2SCD30	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8	1:¥127.3284 10:¥115.7233 25:¥107.0336 50:¥101.2028	参考库存:2859
RN2505TE85LF	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO	1:¥3.2318 10:¥1.7741 100:¥0.76049 1,000:¥0.58421 3,000:¥0.44522	参考库存:4847