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晶体管

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APTGT200TL60G

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:29,843(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,356.226
1356.226
5
¥1,322.8006
6614.003
10
¥1,290.9911
12909.911
25
¥1,244.0396
31100.99
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
300 A
栅极—射极漏泄电流
800 nA
Pd-功率耗散
652 W
封装 / 箱体
SP6
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGT200TL60G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Big Chip SELine
1:¥7.7631
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
1,000:¥3.5708
参考库存:10341
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥7.5258
10:¥6.4862
100:¥4.9833
500:¥4.407
2,500:¥3.0849
10,000:查看
参考库存:5700
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥11.9893
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.7348
3,000:¥5.198
6,000:查看
参考库存:9308
晶体管
MOSFET 60V 4.1A 3.3W 100mohm @ 10V
1:¥6.9947
10:¥5.6387
100:¥4.2827
500:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.5651
参考库存:7825
晶体管
MOSFET N-Chnl 200V
1:¥3.2996
10:¥2.7685
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:40987
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