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晶体管

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APTGT200DA120D3G

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数量单价合计
100
¥783.2256
78322.56
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
300 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.05 kW
封装 / 箱体
D3-11
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Bulk
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APTGT200DA120D3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 12V 1.5A PNP LOW
1:¥3.5369
10:¥2.7233
100:¥1.469
1,000:¥1.09836
3,000:¥0.94468
参考库存:5024
晶体管
MOSFET Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A
1:¥3.842
10:¥2.8815
100:¥1.5594
1,000:¥1.1752
3,000:¥1.00683
参考库存:6490
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS HV XSTR NPN 160V
1:¥1.5368
10:¥1.3673
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
10,000:¥0.2147
20,000:查看
参考库存:18109
晶体管
MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET
1:¥4.8364
10:¥3.9889
100:¥2.4295
1,000:¥1.8871
1,500:¥1.6046
参考库存:3170
晶体管
MOSFET CFET 3A / 500V
1:¥10.1474
10:¥8.6784
100:¥6.6896
500:¥5.9212
参考库存:3605
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