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晶体管
SIHF15N65E-GE3参考图片

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SIHF15N65E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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库存:29,638(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.9677
31.9677
10
¥28.6568
286.568
100
¥23.6622
2366.22
250
¥21.357
5339.25
500
¥19.3682
9684.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
280 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
48 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
34 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.9 mm
长度
10.5 mm
系列
E
宽度
4.69 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
18 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SIHF15N65E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-CH DMOS 250V 225MA
1:¥5.0737
10:¥4.2149
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
参考库存:4330
晶体管
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1:¥19.3682
10:¥16.4415
100:¥13.1419
500:¥11.526
5,000:¥8.6106
10,000:查看
参考库存:12332
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.6159
10:¥1.4238
100:¥0.50737
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26103
参考库存:3495
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in Transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:22949
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual NPN 65V 100mA 200mW 100MHz
1:¥2.3843
10:¥1.6272
100:¥0.68365
1,000:¥0.46104
3,000:¥0.3616
参考库存:10296
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