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晶体管

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APTGT200A120D3G

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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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数量单价合计
100
¥1,055.7025
105570.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
300 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.05 kW
封装 / 箱体
D3-11
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Bulk
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APTGT200A120D3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 20V/1.6A LOADSWITCH IN SOT457
1:¥3.7629
10:¥2.8928
100:¥1.5707
1,000:¥1.1752
3,000:¥1.01474
参考库存:2788
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥15.2098
500:¥13.3679
1,000:¥11.0627
参考库存:1508
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR DL SPCL
1:¥3.2996
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.69947
参考库存:4577
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.30736
参考库存:16019
晶体管
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
1:¥5.1528
10:¥4.3053
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
参考库存:2621
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