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晶体管
SIRA60DP-T1-RE3参考图片

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SIRA60DP-T1-RE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存：29,455(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.4469
11.4469
10
¥9.4468
94.468
100
¥7.2659
726.59
500
¥6.2602
3130.1
3,000
¥4.6104
13831.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
780 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 16 V
Qg-栅极电荷
125 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
57 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Reel
系列
SIR
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
100 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SIRA60DP-T1-RE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDP050AN06A0
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET N-Channel PowerTrench
1:¥16.4415
10:¥13.9894
100:¥11.1418
500:¥9.7632
1,000:¥8.1473
参考库存:3788
FGH50T65UPD
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
IGBT 晶体管 650 V 100 A 240 W
1:¥38.646
10:¥32.8152
100:¥28.4308
250:¥26.9731
参考库存:2346
IRF644STRLPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-Chan 250V 14 Amp
1:¥21.7412
10:¥17.9783
100:¥14.8256
800:¥14.8256
参考库存:2718
FCH110N65F-F155
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET SuperFET2 650V, 110 mOhm, FRFET
1:¥34.9622
10:¥29.7416
100:¥25.7414
250:¥24.4306
参考库存:2293
FGA50N100BNTDTU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
IGBT 晶体管 600V 4 0A UFD
1:¥35.5046
10:¥30.1936
100:¥26.1256
250:¥24.8148
500:¥22.2836
参考库存:2420
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