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晶体管

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APTGT200A60T3AG

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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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数量单价合计
100
¥604.0415
60404.15
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
290 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
750 W
封装 / 箱体
SP3-32
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APTGT200A60T3AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 32V 2A
1:¥6.8365
10:¥5.6726
100:¥3.6612
1,000:¥2.9267
2,500:¥2.4747
参考库存:3552
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥33.3463
10:¥28.3517
100:¥24.5888
250:¥23.278
500:¥20.905
参考库存:1477
晶体管
MOSFET T6 40V LL S08FL DS
1:¥6.6896
10:¥5.763
100:¥4.4296
500:¥3.9098
1,500:¥2.7459
9,000:查看
参考库存:2777
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TransDigital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:4269
晶体管
MOSFET P-Ch ENH FET -30V 2.4mOhm -10V -300mA
1:¥2.8476
10:¥2.0227
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
10,000:¥0.5537
20,000:查看
参考库存:19352
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