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晶体管
IPB60R199CPA参考图片

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IPB60R199CPA

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600V 16A D2PAK-2 CoolMOS CPA
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库存:28,803(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.815
28.815
10
¥24.5097
245.097
100
¥21.2101
2121.01
250
¥20.1366
5034.15
1,000
¥15.2889
15288.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
16 A
Rds On-漏源导通电阻
199 mOhms
配置
Single
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
IPB60R199CPAATMA1 IPB6R199CPAXT SP000539966
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,IPB60R199CPA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 600V, 7A, 0,6OHMS N channel Mosfet
15,000:¥4.3844
参考库存:27396
晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥1,350.3839
25:¥1,301.7487
参考库存:27399
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100Vcbo 100Vcev 2A 75Vceo 6.0Vebo 10W
1:¥22.5096
10:¥20.1366
100:¥18.3625
250:¥16.5206
参考库存:1908
晶体管
MOSFET LOW POWER_PRICE/PERFORM
1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥7.8422
500:¥6.9269
1,000:¥5.4692
参考库存:27404
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥848.0085
参考库存:27407
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