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晶体管

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APTLGT400A608G

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100
¥2,135.9938
213599.38
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
600 A
Pd-功率耗散
1.25 kW
封装 / 箱体
LP8
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Bulk
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APTLGT400A608G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
8,000:¥1.5707
参考库存:31360
晶体管
MOSFET T6 40V LL S08FL DS
1:¥12.5995
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.4806
1,500:¥5.7743
4,500:查看
参考库存:31363
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual NPN Small Signal
3,000:¥3.0397
9,000:¥2.9267
24,000:¥2.8363
参考库存:705513
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr
10,000:¥0.3842
20,000:¥0.3616
参考库存:31368
晶体管
MOSFET N-channel 60 V 3.9 mo FET
5,000:¥7.0286
10,000:¥6.7574
参考库存:31371
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