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晶体管
TK10A60E,S5X参考图片

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TK10A60E,S5X

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参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
750 mOhms
Qg-栅极电荷
40 nC
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
商标名
DTMOSIV
高度
15.1 mm
长度
10.16 mm
系列
TK10A60E
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.45 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,TK10A60E,S5X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET JFET P-Channel 30V 50mA 300mW 2mW
569:¥11.9102
1,000:¥9.831
2,500:¥8.8366
10,000:¥8.4524
参考库存:17481
晶体管
IGBT 晶体管 IGNITION IGBT 15 A, 410 V
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥5.1302
2,500:¥5.1302
参考库存:17484
晶体管
达林顿晶体管 NPN Darlington
2,000:¥1.8419
4,000:¥1.5594
参考库存:17487
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
1:¥51.1777
10:¥46.2622
25:¥44.1039
100:¥38.2618
参考库存:3390
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 232A 1.5MO
1:¥26.5098
10:¥22.5096
100:¥19.5151
250:¥18.5207
1,500:¥13.2888
4,500:查看
参考库存:4792
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