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晶体管
SIR800DP-T1-RE3参考图片

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SIR800DP-T1-RE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:28,459(价格仅供参考)
数量单价合计
3,000
¥5.198
15594
6,000
¥5.0059
30035.4
9,000
¥4.8138
43324.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
1.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
89 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Reel
系列
SIR
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
96 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
54 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SIR800DP-T1-RE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥21.5943
10:¥19.5151
100:¥15.6731
500:¥12.1362
参考库存:2092
晶体管
MOSFET N-Ch 100 Volt 25 Amp
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.91
500:¥6.9269
2,500:¥5.3449
5,000:查看
参考库存:6013
晶体管
MOSFET SO8 COMP N-P-CH T/R
1:¥6.4523
10:¥5.311
100:¥3.4239
1,000:¥2.7459
2,500:¥2.7459
参考库存:17732
晶体管
MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W
1:¥4.4522
10:¥3.7629
100:¥2.4182
1,000:¥1.9323
3,000:¥1.9323
参考库存:22596
晶体管
MOSFET N-Ch 1000 Volt 8.3 A Zener SuperMESH
1:¥44.7932
10:¥38.1149
100:¥33.0412
250:¥31.3462
参考库存:2191
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