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晶体管
A2T21S161W12SR3参考图片

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A2T21S161W12SR3

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S161W12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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库存:28,269(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥438.7564
109689.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.5 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
19.1 dB
输出功率
38 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-2
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2200 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
零件号别名
935363146128
商品其它信息
优势价格,A2T21S161W12SR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Quad N-Channel Array
1:¥36.6572
10:¥32.7361
25:¥29.4252
50:¥28.6568
参考库存:1258
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥6.8365
10:¥5.7065
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
5,000:¥2.486
参考库存:21333
晶体管
IGBT 晶体管 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9721
1,000:¥5.5144
2,500:¥4.8816
参考库存:2896
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
10,000:¥0.89157
20,000:¥0.81473
50,000:¥0.78422
100,000:¥0.75258
参考库存:31802
晶体管
MOSFET Automotive-grade P-channel -30 V, 0.027 Ohm typ., -12 A, STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥6.6105
10:¥5.5935
100:¥4.3053
500:¥3.8081
2,500:¥2.6555
10,000:查看
参考库存:2464
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