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晶体管

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APTGL475A120D3G

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:28,013(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,992.4612
1992.4612
5
¥1,943.2836
9716.418
10
¥1,896.5694
18965.694
25
¥1,827.6394
45690.985
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.8 V
在25 C的连续集电极电流
610 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2.08 kW
封装 / 箱体
D3-11
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Bulk
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APTGL475A120D3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 50V NPN
1:¥0.84524
10:¥0.7458
100:¥0.26103
1,000:¥0.17628
10,000:¥0.11526
20,000:查看
参考库存:197618
晶体管
MOSFET LOW VOLTAGE
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
3,000:¥7.0286
6,000:查看
参考库存:7033
晶体管
MOSFET 4V Drive Nch MOSFET
1:¥44.7932
10:¥38.0358
100:¥33.0412
250:¥31.3462
1,000:¥23.6622
2,000:查看
参考库存:2390
晶体管
MOSFET NFET WDFN6 30V 1.4 Ohms
1:¥6.6896
10:¥5.5709
100:¥3.5934
1,000:¥2.8815
3,000:¥2.4295
参考库存:9806
晶体管
MOSFET 500V N-Channel QFET
1:¥55.1666
10:¥49.8669
25:¥47.5617
100:¥41.3354
参考库存:1896
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