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晶体管
CDM2208-800FP参考图片

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CDM2208-800FP

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 800Vds 30Vgs 8.0A 57W 24.45nC 1.42Ohm
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数量单价合计
750
¥10.0683
7551.225
1,000
¥8.3733
8373.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
24.45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
57 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
CDM2208-800FP
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Central Semiconductor
下降时间
37 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
34 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
CDM2208-800FP PBFREE
商品其它信息
优势价格,CDM2208-800FP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
1:¥21.5943
10:¥18.3625
100:¥15.9104
250:¥15.0629
3,000:¥10.8367
6,000:查看
参考库存:17246
晶体管
MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥7.1642
参考库存:17249
晶体管
MOSFET BUK7K17-80E/SOT1205/
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2037
500:¥5.4805
参考库存:17252
晶体管
MOSFET -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
1:¥4.6104
10:¥3.5595
100:¥2.6442
500:¥2.1696
1,000:¥1.6724
3,000:¥1.6724
参考库存:17255
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 60V 92A 4.7MOH
5,000:¥3.1866
10,000:¥3.0623
25,000:¥2.9606
参考库存:17258
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