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晶体管
BSS87H6327XTSA1参考图片

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BSS87H6327XTSA1

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数量单价合计
1,000
¥1.3108
1310.8
2,000
¥1.12209
2244.18
10,000
¥1.04525
10452.5
25,000
¥0.99101
24775.25
50,000
¥0.96841
48420.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
240 V
Id-连续漏极电流
260 mA
Rds On-漏源导通电阻
6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
3.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
160 mS
下降时间
27.3 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
3.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17.6 ns
典型接通延迟时间
3.7 ns
零件号别名
BSS87 H6327 SP001195034
单位重量
130.500 mg
商品其它信息
优势价格,BSS87H6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 BIP DPAK NPN 2A 100V TR
1:¥5.989
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10:¥18.9049
100:¥16.3624
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5,000:¥10.7576
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晶体管
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1:¥4.1471
10:¥3.4804
100:¥2.1244
1,000:¥1.6498
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1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
参考库存:3931
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