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晶体管
DMPH4025SFVWQ-7参考图片

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DMPH4025SFVWQ-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
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数量单价合计
3,000
¥2.7685
8305.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
25 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
38.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
35.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72.2 ns
典型接通延迟时间
4.8 ns
单位重量
72 mg
商品其它信息
优势价格,DMPH4025SFVWQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V 21.1A 3.8W 5.3mohm @ 10V
1:¥13.9103
10:¥11.6051
100:¥8.9948
500:¥7.8422
1,000:¥6.5314
3,000:¥6.5314
参考库存:4346
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
1:¥11.30
10:¥9.6841
100:¥7.4354
500:¥6.5766
5,000:¥4.5991
10,000:查看
参考库存:21773
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq. Amplification
1:¥3.616
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:49904
晶体管
MOSFET BUK9M17-30E/MLFPAK/REEL 7" Q1/
1:¥4.1471
10:¥3.4126
100:¥2.0792
1,000:¥1.6046
1,500:¥1.3786
参考库存:3862
晶体管
MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 30W 490pF 3.7A
1:¥6.9947
10:¥5.5935
100:¥4.3053
500:¥3.8081
参考库存:2916
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