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晶体管
DDTA115ECA-7-F参考图片

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DDTA115ECA-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS PNP 200mW
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库存:33,843(价格仅供参考)
数量单价合计
3,000
¥0.24634
739.02
9,000
¥0.2147
1932.3
24,000
¥0.20001
4800.24
45,000
¥0.18419
8288.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
典型输入电阻器
100 kOhms
典型电阻器比率
1
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min
82
集电极连续电流
- 0.1 A
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
200 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DDTA115
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
82
发射极 - 基极电压 VEBO
- 3 V
高度
1 mm
长度
3.05 mm
类型
PNP Pre-Biased Small Signal SOT-23 Surface Mount Transistor
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,DDTA115ECA-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Dual N-channel 100 V
1:¥10.2943
10:¥8.7575
100:¥6.7687
500:¥5.9777
1,000:¥4.7234
1,500:¥4.7234
参考库存:2907
晶体管
MOSFET
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8591
500:¥6.0681
1,000:¥4.7912
2,500:¥4.7912
参考库存:2912
晶体管
MOSFET Pch -45V -7A MOSFET
1:¥12.0684
10:¥10.2152
100:¥8.2264
500:¥7.1642
2,500:¥5.5257
5,000:查看
参考库存:4806
晶体管
IGBT 晶体管 1250V 20A Shorted Anode IGBT
1:¥20.4417
10:¥17.3681
100:¥15.0629
250:¥14.2945
参考库存:2927
晶体管
MOSFET 20V 1.2A
1:¥3.6838
10:¥2.6103
100:¥1.1978
1,000:¥0.92208
3,000:¥0.78422
参考库存:6930
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