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晶体管
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ULN2003ANSRE4

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
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数量单价合计
2,000
¥1.921
3842
4,000
¥1.7854
7141.6
10,000
¥1.7176
17176
24,000
¥1.6498
39595.2
50,000
¥1.5933
79665
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Array 7
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-16
最小工作温度
- 20 C
最大工作温度
+ 70 C
系列
ULN2003A
封装
Reel
高度
1.95 mm
长度
10.3 mm
工作温度范围
- 20 C to + 70 C
宽度
5.3 mm
商标
Texas Instruments
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
200.700 mg
商品其它信息
优势价格，ULN2003ANSRE4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CMPFJ175 TR
Central Semiconductor
晶体管
JFET 30Vgd P-Ch JFET Engineering Hold
6,000:¥1.6837
12,000:¥1.6159
24,000:¥1.5594
48,000:¥1.5368
参考库存:30932
NTMFD4952NFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
1,500:¥10.2152
4,500:¥9.831
9,000:¥9.2999
参考库存:30935
SIHF22N65E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥37.8098
10:¥31.3462
100:¥25.8205
250:¥24.973
参考库存:30938
PXAD184218FV-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,159.2105
参考库存:30941
APTGLQ30H65T3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块
100:¥337.3276
250:¥330.2538
参考库存:30944
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