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晶体管
2DB1184Q-13参考图片

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2DB1184Q-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 2.5K BIPOLAR
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库存:17,605(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥1.5029
3757.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
110 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2DB11
直流电流增益 hFE 最大值
120
高度
2.4 mm
长度
6.8 mm
封装
Reel
宽度
6.2 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
15000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
优势价格,2DB1184Q-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V Single N-Channel HEXFET Power
1:¥15.4471
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.1417
参考库存:3195
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR PNP 50V
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
3,000:¥0.46104
9,000:¥0.4068
参考库存:13685
晶体管
MOSFET N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm
1:¥12.9837
10:¥10.4525
100:¥8.0682
500:¥7.0738
参考库存:5578
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 7.5A 500V 35W 700pF 1.04 Ohm
1:¥12.6786
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥6.9156
参考库存:2422
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 116A 7mOhm 40nC Log Lvl
1:¥13.9894
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
800:¥6.9043
参考库存:3141
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