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晶体管
BC858BW-7-F参考图片

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BC858BW-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR
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库存:80,046(价格仅供参考)
数量单价合计
3,000
¥0.24634
739.02
9,000
¥0.2147
1932.3
24,000
¥0.20001
4800.24
45,000
¥0.18419
8288.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
0.1 A
增益带宽产品fT
200 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BC858
高度
1 mm
长度
2.2 mm
封装
Reel
宽度
1.35 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
220
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格,BC858BW-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET
1:¥6.7574
10:¥5.7517
100:¥4.4183
500:¥3.8985
1,000:¥3.0849
3,000:¥2.7346
参考库存:11501
晶体管
MOSFET MOSFT DUAL NCh 50V 3.0A
1:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
4,000:¥2.2035
参考库存:23518
晶体管
MOSFET N-CH 400V HEXFET MOSFET
1:¥30.1258
10:¥24.973
100:¥20.5886
250:¥19.8993
500:¥17.8992
参考库存:7085
晶体管
MOSFET 100V Single
1:¥4.068
10:¥3.3222
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
4,000:¥1.3334
参考库存:49366
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN+NPN Digital transistor(with built-in resistors)
1:¥3.0736
10:¥1.9775
100:¥0.85315
1,000:¥0.65314
8,000:¥0.43844
24,000:查看
参考库存:4235
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