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晶体管
DDTB123EC-7-F参考图片

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DDTB123EC-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 200MW 2.2K
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库存:32,806(价格仅供参考)
数量单价合计
3,000
¥0.27685
830.55
9,000
¥0.23843
2145.87
24,000
¥0.22261
5342.64
45,000
¥0.20792
9356.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
典型输入电阻器
2.2 kOhms
典型电阻器比率
1
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min
39
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极连续电流
500 mA
峰值直流集电极电流
500 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DDTB123
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.05 mm
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,DDTB123EC-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥281.3926
5:¥268.714
10:¥260.3294
25:¥239.1984
参考库存:3653
晶体管
MOSFET N-CH 100V 26.8 MOHM MOSFET
1:¥8.3733
10:¥7.119
100:¥5.4692
500:¥4.8364
800:¥3.8194
参考库存:3575
晶体管
MOSFET -12V Vds 8V Vgs SOT-23
1:¥3.2996
10:¥2.5086
100:¥1.8645
500:¥1.5368
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.1865
参考库存:40880
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥125.5543
10:¥114.1074
25:¥105.5759
50:¥99.892
参考库存:3879
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN G.P. TRANSISTOR
1:¥228.373
10:¥223.8304
100:¥219.2991
250:¥210.8467
参考库存:3640
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