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晶体管
DMN3022LDG-13参考图片

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DMN3022LDG-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
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数量单价合计
3,000
¥3.0397
9119.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms, 8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
3.7 nC, 8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.96 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
1.9 ns, 2.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.8 ns, 2.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.2 ns, 11.7 ns
典型接通延迟时间
4.5 ns, 5.6 ns
单位重量
44 mg
商品其它信息
优势价格,DMN3022LDG-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT 1200V 40A UFS
1:¥54.1722
10:¥48.9516
25:¥46.6464
100:¥40.4992
参考库存:4129
晶体管
MOSFET PMCXB1000UE/DFN1010B-6/REEL 7
1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
5,000:¥1.2317
参考库存:8242
晶体管
MOSFET MV7 80/20V 1000A N-chanPwrTrnchMOSFET
1:¥15.142
10:¥12.8368
100:¥10.2943
500:¥8.9948
2,500:¥6.9495
5,000:查看
参考库存:4820
晶体管
MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥31.6626
10:¥26.2838
100:¥21.5943
250:¥20.905
500:¥18.7467
参考库存:3826
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥97.0444
10:¥88.2078
25:¥81.6086
50:¥77.1451
参考库存:3780
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