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晶体管
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ZXM62P03E6TC

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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-26-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
230 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
625 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.3 mm
长度
3.1 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
ZXM62
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.8 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
6.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.4 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13.9 ns
典型接通延迟时间
2.8 ns
单位重量
15 mg
商品其它信息
优势价格,ZXM62P03E6TC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET BUK9M10-30E/MLFPAK/REEL 7" Q1/
1:¥4.9155
10:¥4.0793
100:¥2.486
1,000:¥1.921
1,500:¥1.6385
参考库存:4755
晶体管
MOSFET 650V N-Channel SuperFET III MOSFET
1:¥91.0554
10:¥83.6765
25:¥80.2187
100:¥70.6928
参考库存:2232
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS:
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:7724
晶体管
射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 150Watts 28Volt Gain 10dB
1:¥509.6752
10:¥490.081
参考库存:2038
晶体管
MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥9.9101
10:¥8.7575
100:¥7.119
500:¥5.5822
3,000:¥4.0454
6,000:查看
参考库存:41925
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