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晶体管
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ZXM62P03E6TC

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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-26-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
230 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
625 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.3 mm
长度
3.1 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
ZXM62
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.8 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
6.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.4 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13.9 ns
典型接通延迟时间
2.8 ns
单位重量
15 mg
商品其它信息
优势价格,ZXM62P03E6TC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Pre-biased Small Signal Transistor
1:¥2.0792
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32318
参考库存:14779
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V PNP High Pwr Low Sat Transistor
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.5594
参考库存:15781
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥42.1038
10:¥35.7306
100:¥30.962
250:¥29.4252
1,000:¥22.2045
2,000:查看
参考库存:5800
晶体管
MOSFET 100V 30 MOHM T5 SINGLE S0
1,500:¥5.1076
9,000:¥4.9155
参考库存:19985
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥3.1527
10:¥2.5877
100:¥1.582
1,000:¥1.2204
2,000:¥1.04525
参考库存:19988
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