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晶体管
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ZXM62P03E6TC

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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-26-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
230 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
625 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.3 mm
长度
3.1 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
ZXM62
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.8 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
6.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.4 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13.9 ns
典型接通延迟时间
2.8 ns
单位重量
15 mg
商品其它信息
优势价格,ZXM62P03E6TC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 NPN Power Darlington
1:¥30.1258
10:¥25.5832
100:¥22.2045
250:¥21.0519
参考库存:6401
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
1:¥13.0628
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.7631
1,000:¥6.4523
参考库存:7416
晶体管
MOSFET 1.8V 3.2A 1.25W
1:¥5.1528
10:¥4.1697
100:¥3.164
500:¥2.6103
1,000:¥2.0905
3,000:¥1.8984
参考库存:13716
晶体管
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms
1:¥32.2728
10:¥27.4364
100:¥23.8204
250:¥22.5887
参考库存:5925
晶体管
MOSFET SO-8 DUAL P-CH -30V
1:¥9.379
10:¥7.9891
100:¥6.1472
500:¥5.4353
1,000:¥4.2827
2,500:¥4.2827
参考库存:10928
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