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晶体管
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DMC2025UFDB-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 10K
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.4521
24.521
100
¥1.3334
133.34
1,000
¥0.99892
998.92
2,500
¥0.86106
2152.65
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
6 A, 3.5 A
Rds On-漏源导通电阻
25 mOhms, 75 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV, 1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V, 8 V
Qg-栅极电荷
12.3 nC, 8.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.4 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
9.3 ns, 13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.4 ns, 34.1 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17.6 ns, 34.3 ns
典型接通延迟时间
3.4 ns, 22.6 ns
单位重量
6.500 mg
商品其它信息
优势价格，DMC2025UFDB-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DN0150BDJ-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR SMALL SIGNAL NPN/NPN
10,000:¥0.77631
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ZX5T851A
Diodes Incorporated
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9,000:¥0.85315
24,000:¥0.78422
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1:¥162,519.3685
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