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晶体管
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PMD12K100

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 8.0A 100Vcev 100Vceo 2.0V 100W
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数量单价合计
200
¥41.6518
8330.36
400
¥38.2618
15304.72
600
¥32.1937
19316.22
1,000
¥30.3518
30351.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3-2
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
2 V
最大直流电集电极电流
8 A
增益带宽产品fT
4 MHz
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
20000
封装
Tray
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
8 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
1000
Pd-功率耗散
100 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
20
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,PMD12K100的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
1:¥36.8041
10:¥31.2784
100:¥27.12
250:¥25.7414
500:¥23.052
参考库存:33709
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.90626
9,000:¥0.85315
24,000:¥0.78422
45,000:¥0.73789
参考库存:33712
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT PNP 20V 1A 4-Pin (3+Tab)
1,000:¥0.86106
2,000:¥0.73789
10,000:¥0.66896
25,000:¥0.63054
50,000:¥0.56048
100,000:¥0.53788
参考库存:33715
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
1,000:¥5.7291
3,000:¥5.3336
5,000:¥5.1415
10,000:¥4.9381
参考库存:33718
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
4,800:¥7.1755
9,600:¥6.9043
参考库存:33721
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