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晶体管
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2N5859

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 2.0A 1.0W
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数量单价合计
500
¥30.2727
15136.35
1,000
¥28.589
28589
2,000
¥27.5042
55008.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-39-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.7 V
增益带宽产品fT
250 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
系列
2N5859
直流电流增益 hFE 最大值
120
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
Pd-功率耗散
5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
零件号别名
2N5859 PBFREE
商品其它信息
优势价格，2N5859的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIA923EDJ-T4-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥4.9946
10:¥3.9776
100:¥3.0171
500:¥2.486
3,000:¥1.808
6,000:查看
参考库存:7117
TK20P04M1,RQ(S
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 20A 40V 27W 985pF 0.034
1:¥7.458
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100:¥3.7177
1,000:¥2.9832
2,000:¥2.5086
参考库存:24732
NGTB25N120IHLWG
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IGBT 晶体管 1200/25A IGBT LPT TO-247
暂无价格
参考库存:24735
STD150N3LLH6
STMicroelectronics
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1:¥15.4471
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
2,500:¥7.0964
5,000:查看
参考库存:6475
DMTH4014LPDQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥7.2207
10:¥6.1585
100:¥4.7347
500:¥4.181
1,000:¥3.2996
2,500:¥3.2996
参考库存:6627
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