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晶体管
DMTH10H010LPS-13参考图片

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DMTH10H010LPS-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
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库存:4,656(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.2208
9.2208
10
¥7.91
79.1
100
¥6.0229
602.29
500
¥5.3223
2661.15
1,000
¥4.2036
4203.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI5060-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
98.4 A
Rds On-漏源导通电阻
8.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
53.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMTH10H010
商标
Diodes Incorporated
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14.1 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42.9 ns
典型接通延迟时间
11.6 ns
单位重量
97 mg
商品其它信息
优势价格,DMTH10H010LPS-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥3.5369
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
3,000:¥0.95259
9,000:¥0.89157
参考库存:9269
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-263-7L
1:¥23.6622
10:¥19.5942
100:¥16.1364
250:¥15.594
800:¥11.8311
2,400:查看
参考库存:4354
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP DPAK NPN 2A 80V
1:¥6.5314
10:¥5.3788
100:¥3.4691
1,000:¥2.7798
2,500:¥2.3391
参考库存:6023
晶体管
MOSFET 40V POWERBLOCK N CH MOSFET
1:¥45.2565
10:¥40.7252
100:¥33.3463
250:¥31.3462
500:¥28.4308
参考库存:4646
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LESHAN SOT-963 DUAL
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
8,000:¥0.86106
24,000:查看
参考库存:11527
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