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晶体管
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2N6212

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 350Vcbo 300Vceo 6.0Vebo 2.0A 35W
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数量单价合计
90
¥106.3443
9570.987
120
¥97.745
11729.4
270
¥89.1344
24066.288
510
¥79.3712
40479.312
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-66-2
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
300 V
集电极—基极电压 VCBO
350 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
最大直流电集电极电流
5 A
增益带宽产品fT
20 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
系列
2N6212
直流电流增益 hFE 最大值
100
封装
Tube
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
Pd-功率耗散
35 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
30
子类别
Transistors
零件号别名
2N6212 PBFREE
商品其它信息
优势价格,2N6212的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
1:¥21.5943
10:¥18.3625
100:¥15.9104
250:¥15.0629
3,000:¥10.8367
6,000:查看
参考库存:17246
晶体管
MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥7.1642
参考库存:17249
晶体管
MOSFET BUK7K17-80E/SOT1205/
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2037
500:¥5.4805
参考库存:17252
晶体管
MOSFET -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
1:¥4.6104
10:¥3.5595
100:¥2.6442
500:¥2.1696
1,000:¥1.6724
3,000:¥1.6724
参考库存:17255
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 60V 92A 4.7MOH
5,000:¥3.1866
10,000:¥3.0623
25,000:¥2.9606
参考库存:17258
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