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晶体管
DMTH43M8LPS-13参考图片

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DMTH43M8LPS-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
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库存:28,827(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.8365
6.8365
10
¥5.8195
58.195
100
¥4.4748
447.48
500
¥3.955
1977.5
1,000
¥3.1188
3118.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI5060-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
3.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
38.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMTH43M8
商标
Diodes Incorporated
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.7 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23.5 ns
典型接通延迟时间
5.2 ns
单位重量
97 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥3.3787
10:¥2.8363
100:¥1.7289
1,000:¥1.3334
2,500:¥1.1413
参考库存:4953
晶体管
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1:¥5.989
10:¥4.8025
100:¥3.6386
500:¥3.0171
1,000:¥2.4182
2,500:¥2.1809
参考库存:3969
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 12 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
1:¥104.8075
10:¥96.3551
25:¥92.3662
100:¥81.3713
参考库存:3123
晶体管
MOSFET Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3pin(2+Tab)
1:¥17.1308
10:¥14.5205
100:¥11.6842
500:¥10.2152
800:¥8.4524
参考库存:7461
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.1526
10:¥1.11418
100:¥0.39211
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:29971
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