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晶体管
IPA65R190CFDXKSA2参考图片

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IPA65R190CFDXKSA2

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
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库存：28,906(价格仅供参考)
数量单价合计
500
¥14.1363
7068.15
1,000
¥11.9102
11910.2
2,500
¥11.30
28250
5,000
¥10.9158
54579
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
17.5 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
68 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
34 W
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
系列
CFD2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
6.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.4 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
53.2 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPA65R190CFD
商品其它信息
优势价格，IPA65R190CFDXKSA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SMBT2907AE6327HTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT PNP 60V 0.6A
1:¥1.5368
10:¥1.05316
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23843
参考库存:54235
TSM80N1R2CI C0G
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 800V, 5.5A, Single N Channel Power MOSFET
1:¥17.289
10:¥15.594
100:¥12.5995
500:¥9.831
参考库存:9011
CMPTA13 TR
Central Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 NPN GP Darlington
1:¥3.2318
10:¥2.3504
100:¥1.356
1,000:¥0.9831
3,000:¥0.85315
参考库存:13998
BSZ900N20NS3GATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0625
5,000:¥5.2432
10,000:查看
参考库存:14071
2SCR533PT100
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 3A Transistor
1:¥4.5313
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
2,000:¥1.5029
参考库存:6489
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