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晶体管
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STY60NM60

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600 Volt 60 Amp
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数量单价合计
1
¥152.4483
152.4483
10
¥140.1539
1401.539
25
¥134.3909
3359.7725
100
¥118.4127
11841.27
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
560 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
高度
20.3 mm
长度
15.9 mm
系列
STY60NM60
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
5.3 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
76 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
95 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型接通延迟时间
55 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STY60NM60的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RF4E110BNTR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥4.3844
10:¥3.5821
100:¥2.3165
1,000:¥1.8532
3,000:¥1.5594
参考库存:7345
NGB8206ANSL3G
Littelfuse
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT 20A 350V N-CHANNEL
1:¥12.9046
10:¥10.4525
参考库存:5183
FP15R12W1T4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥295.7549
5:¥292.7604
10:¥272.8611
25:¥260.5667
参考库存:4892
STGIPS10K60A
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 模块 IGBT IPM 10A 600 V SDIP25L molded
1:¥83.2132
10:¥76.5349
25:¥73.3031
100:¥64.6247
参考库存:4979
NTK3134NT1H
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
4,000:¥0.66105
参考库存:12807
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