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晶体管
STY60NM60参考图片

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STY60NM60

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600 Volt 60 Amp
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库存:46,392(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥152.4483
152.4483
10
¥140.1539
1401.539
25
¥134.3909
3359.7725
100
¥118.4127
11841.27
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
560 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
高度
20.3 mm
长度
15.9 mm
系列
STY60NM60
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
5.3 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
76 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
95 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型接通延迟时间
55 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STY60NM60的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET HIGH VOLTAGE
1:¥7.0738
10:¥6.0455
100:¥4.6443
500:¥4.1019
1,000:¥3.2318
2,500:¥3.0849
参考库存:26177
晶体管
MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)
1:¥37.4934
10:¥30.1258
100:¥27.5042
250:¥24.8148
2,500:¥17.8314
5,000:查看
参考库存:4131
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥378.437
5:¥365.6793
10:¥353.7691
25:¥327.1802
参考库存:4140
晶体管
MOSFET Nch 600V 35A Si MOSFET
1:¥80.456
10:¥72.772
25:¥69.382
100:¥60.2403
参考库存:36281
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
1:¥19.3682
10:¥16.4415
100:¥13.1419
500:¥11.526
参考库存:4577
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