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晶体管
SKW30N60参考图片

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SKW30N60

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 30A
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库存:46,095(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥58.8617
58.8617
10
¥53.2456
532.456
25
¥50.7144
1267.86
100
¥44.0248
4402.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
SKW30N60
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
41 A
高度
20.95 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
零件号别名
SKW30N60FKSA1 SKW3N6XK SP000012484
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,SKW30N60的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥37.2674
10:¥29.9676
100:¥27.2782
200:¥24.6679
500:¥22.1254
参考库存:44197
晶体管
MOSFET 30V N Channel Power Mosfet
1:¥3.7629
10:¥2.9154
100:¥2.0001
500:¥1.3786
3,000:¥0.92208
9,000:查看
参考库存:44200
晶体管
MOSFET
1:¥7.6049
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
3,000:¥3.0623
9,000:查看
参考库存:44203
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5
1:¥28.6568
10:¥23.052
100:¥20.9728
250:¥18.9049
参考库存:5658
晶体管
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥20.1366
10:¥17.063
100:¥13.673
500:¥11.9893
参考库存:5320
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