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晶体管

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APTGT150A60T1G

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存：45,902(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥506.8389
506.8389
5
¥491.55
2457.75
10
¥477.0973
4770.973
25
¥447.2879
11182.1975
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
225 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
480 W
封装 / 箱体
SP1-12
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
80 g
商品其它信息
优势价格，APTGT150A60T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ALD910020SAL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.00V
50:¥21.6734
100:¥20.2835
250:¥18.2834
500:¥16.4415
参考库存:37248
JANTX2N4234
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥371.6796
250:¥346.9326
参考库存:37254
2N4859UB
Microsemi
晶体管
JFET JFET
100:¥519.5966
参考库存:37257
JAN2N5152
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥183.1052
10:¥166.5168
25:¥153.9851
50:¥145.6909
参考库存:37260
RN2310(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA -50volts 3Pin 4.7Kohms
暂无价格
参考库存:37263
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