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晶体管

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BSM150GB170DLC

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数量单价合计
1
¥1,590.5089
1590.5089
5
¥1,552.2471
7761.2355
10
¥1,513.6689
15136.689
25
¥1,492.4588
37311.47
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1700 V
集电极—射极饱和电压
2.6 V
在25 C的连续集电极电流
300 A
栅极—射极漏泄电流
200 nA
Pd-功率耗散
1.25 kW
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM150GB170DLCHOSA1 SP000100710
商品其它信息
优势价格,BSM150GB170DLC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2
1:¥15.2889
10:¥12.9837
100:¥10.3734
500:¥9.0626
参考库存:4657
晶体管
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥6.9947
10:¥5.7517
100:¥4.4183
500:¥3.8081
1,000:¥2.9945
3,000:¥2.9945
参考库存:6357
晶体管
MOSFET Auto 40V Sngl N-Ch HEXFET PowerMOSFET
1:¥38.8833
10:¥33.0412
100:¥28.6568
250:¥27.1991
800:¥20.5886
2,400:查看
参考库存:4902
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:14304
晶体管
MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp
1:¥12.0684
10:¥9.9892
100:¥7.6275
500:¥6.5653
800:¥5.1754
参考库存:4787
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