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晶体管
IPI80N04S3-03参考图片

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IPI80N04S3-03

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T
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库存:44,469(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.7466
16.7466
10
¥14.2945
142.945
100
¥11.4469
1144.69
500
¥9.9892
4994.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
3.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
188 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
系列
OptiMOS-T
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
39 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
IPI80N04S303AKSA1 IPI8N4S33XK SP000261238
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格,IPI80N04S3-03的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 8.9A
1:¥5.9212
10:¥4.9155
100:¥3.1753
1,000:¥2.5425
4,000:¥2.5425
参考库存:6971
晶体管
MOSFET MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC
1:¥16.1364
10:¥13.673
100:¥10.9158
500:¥9.605
1,000:¥7.91
参考库存:6006
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥10.3734
10:¥10.2152
25:¥8.6784
100:¥7.91
2,000:¥5.4014
4,000:查看
参考库存:4654
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Triple Diffused Planar Silicon
1:¥7.2998
10:¥6.2037
100:¥4.7686
500:¥4.2149
参考库存:4654
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTC114EMB/XQFN3/REEL 7" Q1/T1
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
10,000:¥0.62263
20,000:查看
参考库存:12912
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