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晶体管
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FS20R06W1E3

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数量单价合计
1
¥202.0101
202.0101
5
¥199.9422
999.711
10
¥186.337
1863.37
25
¥177.9637
4449.0925
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
35 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
135 W
封装 / 箱体
EASY1B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
62.8 mm
宽度
33.8 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FS20R06W1E3BOMA1 SP000223651
单位重量
24 g
商品其它信息
优势价格,FS20R06W1E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
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1:¥2.8476
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1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
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1:¥10.5994
10:¥9.0626
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1,000:¥4.8816
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1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:7144
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双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 100MA
1:¥2.8476
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:3433
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