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晶体管

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FD800R17KE3_B2

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1
¥8,174.1601
8174.1601
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single Dual Collector Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO
1700 V
在25 C的连续集电极电流
1200 A
封装 / 箱体
IHM130
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
38 mm
长度
140 mm
宽度
130 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
2
子类别
IGBTs
零件号别名
FD800R17KE3B2NOSA1 SP000100629
商品其它信息
优势价格,FD800R17KE3_B2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 11a 60V 0.107 Ohm Logic Level N-Ch
1:¥6.1472
10:¥5.1076
100:¥3.2996
1,000:¥2.6329
2,500:¥2.6329
参考库存:6375
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 60V Dual Switching NPN
1:¥3.2318
10:¥2.0453
100:¥0.87575
1,000:¥0.67574
4,000:¥0.51528
参考库存:18131
晶体管
达林顿晶体管 10A 100V Bipolar Power PNP
1:¥13.8312
10:¥11.752
100:¥9.379
500:¥8.2264
参考库存:4155
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 3A 10V
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,000:¥1.3334
参考库存:6082
晶体管
MOSFET Std N-chanMOSFET
1:¥21.8994
10:¥18.5998
100:¥16.1364
250:¥15.2889
800:¥11.6051
2,400:查看
参考库存:6152
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