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晶体管

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FD800R17KE3_B2

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1
¥8,174.1601
8174.1601
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single Dual Collector Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO
1700 V
在25 C的连续集电极电流
1200 A
封装 / 箱体
IHM130
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
38 mm
长度
140 mm
宽度
130 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
2
子类别
IGBTs
零件号别名
FD800R17KE3B2NOSA1 SP000100629
商品其它信息
优势价格,FD800R17KE3_B2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLR014TRPBF
2,000:¥10.3734
4,000:¥9.9892
参考库存:45454
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp
1:¥579.6787
5:¥569.0793
10:¥554.3215
25:¥543.4848
参考库存:5659
晶体管
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1:¥13.0628
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.7631
1,000:¥6.4523
2,500:¥6.4523
参考库存:45459
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥355.159
5:¥344.4692
10:¥334.3331
25:¥313.4281
参考库存:45462
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥21.9785
10:¥19.8202
25:¥17.7523
100:¥15.9104
参考库存:45465
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